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产品型号3LN01CPA-TB-E的概述

芯片3LN01CPA-TB-E的概述 芯片3LN01CPA-TB-E是一款广泛应用于各种电子设备的功率管理集成电路。该芯片以其高效能和多功能性而受到业内广泛关注。作为一款线性稳压器,它在电源管理中扮演着至关重要的角色,尤其是在移动设备、通信设备以及消费电子产品中,均展示了出色的性能。 3LN01C...

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配单直通车
3LN01M产品参数
型号:3LN01M
生命周期:Transferred
IHS 制造商:SANYO ELECTRIC CO LTD
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.29
Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.15 A
最大漏极电流 (ID):0.15 A
最大漏源导通电阻:12.8 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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