今天，OKI公司宣布将开始预备为无线基站研制的增强型伪同晶高电子迁移率氮化镓晶体管(GaN-HEMT)。这种晶体管的使用，将有效降低3G移动电话和PHS基站以及城域网基站的规模与能耗。

     GaN-HEMT拥有3-10W/mm的高输出功率密度，是传统增强型伪同晶高电子迁移率砷化镓晶体管(GaAs-HEMT)的十倍，从而使得晶体管尺寸大大减小。就以前的一般情况而言，电功率总是与多枚晶体管结合在一起接收高输出的，然而，内嵌GaN-HEMT后，每枚晶体管的输出功率变大了，使用的晶体管数目自然就变少了，从而传输电路以及外围电路的尺寸也相应减少了。

    GaN-HEMT能承受的电压量是GaAs-HEMT的3到5倍。从另外一个角度来看，因为工作电流降低了1/3-1/5，使得外围设备上的能耗也减少了，整个电路的能耗也就降低了。

    OKI公司成功研制了工作于7.8W/mm高输出功率密度的GaN-HEMT样品，其饱和功率达到了50.2W，更重要的是其体积仅仅是同类产品的1/9。此外，其邻信道泄漏功率比（ACPR）（功率晶体管的性能指标之一）达到了-55dBC的低指数，是3G移动电话基站标准所规定的信号幅度的1/10。

    OKI计划测试成功后于2006年初试销该产品，并于2006年下半年开始大批量生产。OKI的目标是，到2008年，在全世界范围内成功开拓30%的GaN高频功率设备市场。