MOSFET作为电力电子系统的核心开关器件，广泛应用于电源转换、电机驱动、工业控制等场景，其工作可靠性直接决定整个系统的稳定性。过热是MOSFET最常见的失效诱因之一，当芯片结温超过额定最大结温（常规为150℃）时...
分类：基础电子 时间：2026-02-06 阅读：87
MOSFET作为电力电子系统的核心开关器件，工作时会因导通损耗、开关损耗产生热量，若热量无法及时散发，会导致结温升高，进而引发参数漂移、寿命缩短，甚至烧毁器件。工业控制、新能源、电机驱动等大功率场景中，散热...
分类：基础电子 时间：2026-02-05 阅读：125
MOSFET作为电力电子领域核心的开关器件，按封装形式可分为贴片MOSFET（SMDMOSFET）与插件MOSFET（Through-HoleMOSFET）两大类。二者核心导电原理一致，但因封装结构不同，在体积、散热、装配工艺、应用场景上差异显...
分类：基础电子 时间：2026-02-04 阅读：220
阈值电压Vth（ThresholdVoltage）是MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）最核心的电气参数之一，直接决定器件的导通与截止状态，其参数特性直接影响驱动电路设计、开关速度、功耗控制及系统可靠性。在实际选型...
分类：基础电子 时间：2026-01-30 阅读：148
MOSFET作为功率电子电路的核心器件，选型直接决定系统效率、可靠性与成本控制。但在实际设计中，工程师常因对参数理解偏差、场景评估不足、忽视协同匹配等问题陷入选型误区，最终导致器件过热烧毁、效率低下、系统故...
分类：基础电子 时间：2026-01-28 阅读：194
MOSFET是电机驱动电路的核心功率器件，承担电流控制与能量转换的关键作用，其选型直接决定电机运行效率、响应速度、可靠性及驱动电路稳定性。电机驱动场景存在启动电流大、负载波动剧烈、续流应力突出等特点，与普通...
分类：基础电子 时间：2026-01-27 阅读：175
低压大电流MOSFET（通常指耐压≤60V、漏极电流≥50A）是电机驱动、开关电源、储能系统、车载电子等场景的核心功率器件，其选型直接决定电路效率、散热压力、可靠性及成本控制。与高压小电流MOSFET不同，低压大电流场...
分类：基础电子 时间：2026-01-26 阅读：151
MOSFET的导通与关断状态由栅极电压精准控制，栅极需获得足够电压以驱动沟道形成，确保器件稳定工作。实际电路设计中，栅极电压不足是常见故障诱因，多源于驱动电路设计不当、电压跌落、参数匹配失误等，会引发器件性...
分类：基础电子 时间：2026-01-23 阅读：206
耐压能力是MOSFET选型的核心安全指标，直接决定器件能否抵御电路中的电压应力，避免介质击穿、短路烧毁等故障。实际工程设计中，多数选型失误源于对耐压参数的认知偏差、场景工况评估不足，或盲目套用标称值，最终导...
分类：基础电子 时间：2026-01-22 阅读：317
MOSFET的选型直接决定电子电路的可靠性、效率与安全性，而电压、电流作为核心参数，是选型的首要依据。若电压冗余不足易导致器件击穿，电流承载不够则引发过热烧毁，二者需精准匹配电路工况，同时兼顾导通电阻、封装...
分类：基础电子 时间：2026-01-21 阅读：187
封装作为MOSFET的“保护外壳与连接桥梁”，直接影响器件的散热性能、载流能力、安装方式及适配场景。不同封装类型在结构设计、功率承载、空间占用上差异显著，其选择需结合电路功率、布局空间、散热条件等核心需求。...
分类：基础电子 时间：2026-01-20 阅读：353
MOSFET作为电压控制型功率器件，其栅极驱动电路的设计直接决定器件开关性能、工作效率与可靠性。栅极驱动的核心是为MOSFET栅极提供符合要求的驱动电压与电流，实现器件快速、稳定的导通与关断，同时规避过压、过流、...
分类：基础电子 时间：2026-01-19 阅读：373
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）作为电压控制型功率器件，广泛应用于开关电源、电机驱动、新能源电控等领域，其性能直接决定电路的效率、可靠性与安全边界。在MOSFET的众多参数中，漏源电压Vds、漏极电流I...
分类：基础电子 时间：2026-01-16 阅读：391
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）与晶体管（通常特指双极结型晶体管BJT）是电子电路中两类核心的半导体器件，均承担开关与放大功能，支撑着从消费电子到工业控制的各类电子系统运行。但二者在工作原理、驱...
分类：基础电子 时间：2026-01-15 阅读：281
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）作为一种核心的电压控制型半导体器件，凭借开关速度快、驱动功率小、功耗低等优势，广泛应用于电源转换、电机驱动、电子开关等领域。根据导电沟道的载流子类型，MOSFET主要...
分类：基础电子 时间：2026-01-14 阅读：320
一、什么是MOSFET？ MOSFET（金属氧化物半导体场效应管，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种广泛应用于现代电子电路中的三端半导体器件。MOSFET作为一种场效应晶体管（FET），其主要作用...
分类：基础电子 时间：2026-01-13 阅读：357
场效应管（MOSFET）作为一种电压控制型半导体元器件，具有输入阻抗高、开关速度快、功耗低、驱动简单等优势，是开关电源、电机驱动、新能源、消费电子等领域的核心器件。其选型是否合理、故障能否快速定位，直接影响...
分类：基础电子 时间：2025-12-11 阅读：567
思特威（上海）电子科技股份有限公司（股票简称：思特威，股票代码：688213）近日宣布，推出1400万像素高性能智能交通(ITS)应用全局快门图像传感器产品SC1435HGS。此款新品基于思特威先进的SmartGS-2 Plus技术平台打...
MOSFET自1960年由贝尔实验室发明以来，最初采用金属外壳的TO（Transistor Outline）封装，如TO-3和TO-92。这类封装以铜或铁镍合金为引线框架，通过环氧树脂密封，具备机械强度高、散热性能稳定的特点，能够耐受超过5...
在半导体器件领域，场效应管（FET）与 MOS 管（MOSFET）是两类高频出现且易被混淆的元件。二者并非对立关系，而是从属与包含的关系——MOS 管是场效应管的重要分支，但因结构、特性与应用场景的差异，又具备独立的技...
分类：基础电子 时间：2025-09-09 阅读：1866
