Avalanche Technology Inc.总部位于加利福尼亚州弗里蒙特，是下一代自旋转矩磁性RAM（STT-MRAM）技术的领导者，被公认为取代传统闪存，SRAM和DRAM的领跑者，为航空航天和国防，工业，存储和其他高可靠性应用提供统一架构支持。

这款革命性的非易失性存储器以利用MRAM的电池、电路和系统设计创新授予的300+多项专利为后盾，采用采用300mm标准CMOS工艺制造的新型垂直磁隧道结（pMTJ）电池结构。目前生产中的分立式和嵌入式产品采用标准串行和并行接口设计，并提供前所未有的密度、耐用性、可靠性和低功耗以及 MRAM 技术的持久性和固有免疫力，使 Avalanche 成为真正的“下一代 MRAM 公司”。