Z0103MN0
规格信息:

Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm::600V

Gate Trigger Current Max (QI), Igt::5mA

On State RMS Current IT(rms)::1A

Peak Non Rep Surge Current Itsm 50Hz::13.8A

Gate Trigger Voltage Max Vgt::1.3V

Peak Gate Power::2W

Thyristor Case::SOT-223

No. of Pins::4

MSL::-

SVHC::No SVHC (20-Jun-2013)

Holding Current Max Ih::7mA

Weight (kg):0.000104

Tariff No.:85413000

介绍图Z0103MN0
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Z0103MN0,135双向可控硅 600 V 1 A SOT223WeEn SemiconductorsWeEn Semiconductors的LOGO-天天IC网290.51 Kbytes共14页Z0103MN0,135的PDF文件地址 Z0103MN0,135的PDF第一页预览图片 产品购买
Z0103MN0,135栅极触发电流:3mA 通态电流 (It (AV)) (Max):- 通态电流(It (RMS)) (Max):1A 栅极触发电压:1.3V 断态电压Vdrm:600V 类型:双向可控硅WeEn(瑞能)WeEn(瑞能)的LOGO-天天IC网327.82 Kbytes共16页Z0103MN0,135的PDF文件地址 Z0103MN0,135的PDF第一页预览图片 产品购买
Z0103MN0,135TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73WeEn SemiconductorsWeEn Semiconductors的LOGO-天天IC网321.24 Kbytes共14页Z0103MN0,135的PDF文件地址 Z0103MN0,135的PDF第一页预览图片 产品购买
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