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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 首天国际(深圳)集团有限公司

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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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产品型号IXDP20N60BD1的概述

IXDP20N60BD1 芯片概述 IXDP20N60BD1 是一款高性能的功率 MOSFET,主要应用于电源转换和电机驱动领域。作为一种场效应晶体管,它采用了先进的构造技术,以实现高效的电子开关性能,使其在高电流及高电压下工作时更具优势。IXDP20N60BD1 通常用于各种电子设备,包括电源适...

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配单直通车
IXDP20N60BD1产品参数
型号:IXDP20N60BD1
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.72
其他特性:HIGH SPEED
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):32 A
集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):315 ns
标称接通时间 (ton):55 ns
Base Number Matches:1
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