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MMBD352LT1G

更新时间:2025-06-14 07:16:46
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MMBD352LT1G外观图

MMBD352LT1G

ON Semiconductor RF 二极管

DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23

  • 封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MMBD352LT1G 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    RF 二极管
  • 系列
    -
  • 二极管类型
    肖特基 - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大)
    7V
  • 电流 - 最大
    -
  • 电容@ Vr, F
    1pF @ 0V，1MHz
  • 电阻@ Vr, F
    -
  • 功率耗散（最大）
    225mW
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    SOT-23-3（TO-236）
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    MMBD352LT1GOSMMBD352LT1GOS-NDMMBD352LT1GOSTR
MMBD352LT1G Datasheet数据手册 PDF下载
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