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NSS30070MR6T1G

更新时间:2025-07-04 04:36:42
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NSS30070MR6T1G外观图

NSS30070MR6T1G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANSISTOR PNP 700MA 30V SC74-6

  • 封装:SC-74，SOT-457
NSS30070MR6T1G 规格参数
  • 产品培训模块
    Low Vce(sat) BJT Power Savings
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    700mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    400mV @ 70mA，700mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    150 @ 100mA，3V
  • 功率 - 最大
    342mW
  • 频率 - 转换
    -
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SC-74，SOT-457
  • 供应商设备封装
    SC-74
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    NSS30070MR6T1G-ND
芯知识
2.2万
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广东微尔科技有限公司
NSS30070MR6T1G推荐型号
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