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SI3585DV-T1-E3

更新时间:2025-06-11 23:53:23
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SI3585DV-T1-E3 规格参数
  • 数据列表
    SI3585DV
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    TrenchFET®
  • FET 型
    N 和 P 沟道
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    2A，1.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    125 毫欧 @ 2.4A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    600mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    3.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    -
  • 功率 - 最大
    830mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
  • 供应商设备封装
    6-TSOP
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    SI3585DV-T1-E3TR
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