FDFMA2P029Z
334420
WDFN6/2025+
国产南科兼容替代
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120000
MLP6/1905+
原包装正品现货库存-正规渠道原包装
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62000
NEW/NEW
一级代理保证
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25000
MLP6/22+
官网可查icscjh.com
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100500
SMD/2519+
一级代理专营品牌原装,优势现货,长期排单到货
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65000
FAIRCHILD/1905+
原装现货支持BOM配单服务
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6500
MLP6/23+
只做原装现货
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8700
MLP6/2023+
原装现货
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105000
DFN20206/23+
十年配单,只做原装
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12000
MLP6/24+
只做原装,BOM表配单
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9860
N/A/1808+
原装正品,亚太区混合型电子元器件分销
FDFMA2P029Z
10000
6MicroFET2x2/-
原装现货,可开票,提供账期诚信服务
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2000
MLP6/25+
只做原装,支持账期,提供一站式配单服务
FDFMA2P029Z
7332
NA//23+
优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票
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16500
MLP6/25+23+
原装正规渠道优势商全新进口深圳现货原盒原包
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7287
SSCP/24+
原装现货只有原装
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6000
MLP 2 x 2/-
只供原装,欢迎咨询
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168000
MLP6/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
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6607
-/2024+
现货假一罚万只做原厂原装现货
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8000
22+/NA
-
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Integrated P-Channel PowerTrench MOS...
FAIRCHILD
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MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
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Integrated P-Channel PowerTrench MOS...
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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Integrated P-Channel PowerTrench㈢ M...
FAIRCHILD
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能提高其低压应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir),能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合,这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装,能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。. 供货:现货 交货期:收到订单后12周内 来源:小草
气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir),能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合,这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装,能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。. 供货: 现货 交货期: 收到订单后12周内
应用的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir),能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合,这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装,能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。 供货:现货 交货期:收到订单后12周内
的热性能和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir),能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合,这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装,能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。
和电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或 p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压 (vf) 和反向泄漏电流 (ir),能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合,这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装,能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。. 供货: 现货交货期: 收到订单后12周内
电气性能,并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置,集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能,fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管,并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir),能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合,这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装,能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。 供货:现货 交货期:收到订单后12周内