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IGBT

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
D-PAKD²PAKITO-220ABModuleTO-220-3TO-220ABTO-220FTO-220FPTO-247TO-247-3TO-247-3LDTO-252(DPAK)TO-252AATO-263(D²Pak)TO-3PTO-3P-3TO220MFTO247AC-3TO264-3TO3PN
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晶体管类型

-FS(场截止)Grooved Field Cut-OffNPTNPT and TrenchNPT和沟道NPT，沟槽型场截止P沟道Trench Field Stop场截止沟槽型场截止沟道
清除
集射极击穿电压Vce(Max)

-1.2KV1.35KV1KV330V420V600V650V
清除
工作温度

-40℃~+150℃-40℃~+150℃(TJ)-40℃~+175℃-40℃~+175℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+155℃-55℃~+175℃-55℃~+175℃(TJ)
清除
导通损耗

0.07mJ0.09mJ0.18mJ0.37mJ0.39mJ0.3mJ0.45mJ0.9mJ1.13mJ1.19mJ1.2mJ1.9mJ2.1mJ2.2mJ2.3mJ2.5mJ2.9mJ2mJ4.1mJ
清除
关断损耗

0.045mJ0.07mJ0.09mJ0.12mJ0.17mJ0.1mJ0.255mJ0.31mJ0.32mJ0.37mJ0.43mJ0.45mJ0.46mJ0.63mJ0.65mJ0.6mJ0.75mJ0.96mJ1.1mJ1.55mJ1.76mJ210uJ5.1mJ
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开通延迟时间

125ns15ns160ns18ns22ns237ns24.5ns265ns26ns380ns40ns45ns55ns56ns60ns64ns
清除
关断延迟时间

100ns105ns112ns115ns118ns150ns165ns180ns200ns22ns230ns297ns300ns330ns60ns87ns
清除
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))

1.2KV1.35KV1.8V@15A,15V1KV330V420V600V650V
清除
正向压降VF

1.45V@20A1.6V1.9V2.6V2V
清除
功率耗散

110W136W150W160W167W180W200W208W217W258W260W268W286W290W294W298W312W316W32W349W37.5W378W416W428W483W600W83W882W
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集电极电流 Ic

10A120A12A140A15A16A20A240A30A35A40A43A47A50A57A60A74A80A
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型号：NGTB15N120FL2WGIGBT
品牌：ON(安森美)
封装：TO-247-3
描述：
IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247
编号：G3516499

现货库存： 59 (4小时发货)
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型号：FGH60N60SMDIGBT
品牌：ON(安森美)
封装：TO-247-3
描述：
IGBT 600V 120A 600W TO247-3
编号：G3813584

现货库存： 1 (4小时发货)
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型号：STGP19NC60KDIGBT
品牌：ST(意法半导体)
封装：TO-220-3
描述：
IGBT 600伏35安125瓦通孔 TO-220
编号：G3516632

现货库存： 55 (4小时发货)
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型号：IKW75N65EH5综合元器件
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-247-3
描述：
编号：G4673020

现货库存： 88 (4小时发货)
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型号：AOD5B65M1IGBT
品牌：AOS(美国万代)
封装：D-PAK
描述：
650V，5A阿尔法IGBT带软快速恢复反并联二极管 DPAK
编号：G0349208

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型号：STGB15M65DF2IGBT
品牌：ST(意法半导体)
封装：TO-263(D²Pak)
描述：
IGBT 沟槽型场截止 650 V 30 A 136 W 表面贴装型 D²PAK（TO-263）
编号：G3516630

现货库存： 15 (4小时发货)
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型号：HGTD1N120BNS9AIGBT
品牌：ON(安森美)
封装：TO-252AA
描述：
IGBT NPT VCES=1200V Ic=5.3 A PD=60W TO-252AA
编号：G3813720

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型号：STGWT30HP65FBIGBT
品牌：ST(意法半导体)
封装：TO-3P
描述：
IGBT 沟槽型场截止 650 V 60 A 260 W 通孔 TO-3P
编号：G5474441

现货库存： 2 (4小时发货)
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型号：FGA40N65SMDIGBT
品牌：ON(安森美)
封装：TO3PN
描述：
IGBT Field Stop 650V 80A 349W TO-3P
编号：G3813656

现货库存： 5 (4小时发货)
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型号：IRGIB10B60KD1PIGBT
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-220FP
描述：
IGBT NPT VCE=600V Ic=16A PD=44W TO220FP-3
编号：G0349533

现货库存： 10 (4小时发货)
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型号：IKW30N60H3IGBT
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-247-3
描述：
600 V IGBT，采用反并联二极管，TO-247 封装
编号：G4265598

现货库存： 4 (4小时发货)
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型号：IKW75N60TIGBT
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-247-3
描述：
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD
编号：G4600301

现货库存： 90 (4小时发货)
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型号：IHW30N160R5IGBT
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-247-3
描述：
编号：G11697789

现货库存： 85 (4小时发货)
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型号：IKD06N60RFIGBT
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-252(DPAK)
描述：
编号：G0019035

现货库存： 200 (4小时发货)
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型号：15T65SDIGBT
品牌：Juxing(钜兴)
封装：ITO-220AB
描述：
IGBT 650V 15A ITO-220AB
编号：G14510401

现货库存： 100 (4小时发货)
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型号：STGF15H60DFIGBT
品牌：ST(意法半导体)
封装：TO-220FP
描述：
IGBT 沟槽型场截止 600 V 30 A 30 W 通孔 TO-220FP
编号：G3516581

现货库存： 4 (4小时发货)
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型号：IKW40N120T2IGBT
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-247-3
描述：
IGBT VCE=1200V IC=75A PD=480W PGTO247-3
编号：G0348943

现货库存： 47 (4小时发货)
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金额： ￥28.90

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型号：STGW20NC60VIGBT
品牌：ST(意法半导体)
封装：TO-247
描述：
编号：G3516673

现货库存： 2 (4小时发货)
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型号：SGT40N60FD2PNIGBT
品牌：Silan(士兰微)
封装：TO-3P-3
描述：
编号：G11916802

现货库存： 97 (4小时发货)
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「管装(TUBE) / 30」
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型号：IHW20N135R5IGBT
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-247-3
描述：
采用 TO247 封装的1350 V IGBT单片集成反向导通二极管
编号：G5903843

现货库存： 9 (4小时发货)
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