英飞凌CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件

类别:新品快报  出处:维库电子市场网  发布于:2026-01-05 11:17:55 | 56506 次阅读

  CoolSiC? MOSFET 400V与440V第二代器件兼具高鲁棒性、超低开关损耗与低通态电阻等优势,同时有助于优化系统成本。该系列400V与440V碳化硅MOSFET可在两电平和三电平的硬开关与软开关拓扑中,提供卓越的功率密度和系统效率,主要面向人工智能服务器电源、开关电源、电机控制、可再生能源与储能系统以及D类音频放大器等功率转换应用。
  产品型号:
  ■ IMW40R011M2H
  ■ IMZA40R011M2H
  ■ IMW40R015M2H
  ■ IMZA40R015M2H
  ■ IMW40R025M2H
  ■ IMZA40R025M2H
  ■ IMW40R036M2H
  ■ IMZA40R036M2H
  ■ IMLT40R045M2H
  ■ IMLT40R036M2H
  ■ IMLT40R025M2H
  ■ IMLT40R015M2H
  ■ IMLT40R011M2H
  ■ IMW40R045M2H
  ■ IMZA40R045M2H
  ■ IMT44R011M2H
  ■ IMT44R015M2H

  ■ IMT44R025M2H


  产品特性
  相比650V SiC MOSFET,具有更优的FOM
  快速换流鲁棒性二极管,具备低反向恢复电荷
  低导通电阻温度系数
  栅极阈值电压VGS(th)=4.5V
  支持单极性驱动(关断栅压VGSoff=0V)
  完成100%雪崩测试
  开关速度的高可控性
  高电压变化率工况下低过冲
  采用.XT互连技术


  应用价值

  高系统效率
  高功率密度设计
  高设计鲁棒性
  简化电磁干扰滤波需求
  适用于硬开关拓扑


  竞争优势

  助力实现创新拓扑应用(如三电平功率因数校正、有源中性点钳位型拓扑)


  应用领域

  AI服务器电源PSU
  开关电源SMPS
  电机控制
  轻型电动汽车
  叉车
  电动航空eAviation

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